晶閘管(可控硅整流器) ，俗稱(chēng)可控硅整流器，簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。這是個(gè)高性能的半導(dǎo)體器件。它不僅具有單向?qū)ǖ恼鞴δ埽€具有可控開(kāi)關(guān)功能。它可以用較小的能量控制較大的能量。廣泛應(yīng)用于交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等。下面介紹晶閘管的工作原理。

與二極管不同的是當(dāng)兩端加上正向電壓而控制極不加電壓時(shí)，可控硅并不導(dǎo)通，其正向電流很小，處于正向電流阻斷狀態(tài)；當(dāng)加上正向電壓，且控制極上（與陰極間）也加上一個(gè)正向電壓時(shí)，可控硅便進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，這時(shí)管壓降很?。?V左右），這時(shí)即使控制電壓消失仍能保持導(dǎo)通狀態(tài)。所以控制電壓沒(méi)有必要一直存在。通常采用脈沖形式, 以降低觸發(fā)功耗。它不具有自關(guān)斷能力。要切斷負(fù)載電流,只有使陽(yáng)極電流減小到維持電流以下,或加上反向電壓實(shí)現(xiàn)關(guān)

休息。如果用在交流電路中，當(dāng)電流過(guò)零進(jìn)入負(fù)半周時(shí)會(huì)自動(dòng)關(guān)斷。為了使其再次開(kāi)啟，必須再次添加控制信號(hào)。

二、雙向控制開(kāi)關(guān)

可控硅應(yīng)用于信息交流系統(tǒng)電路進(jìn)行控制時(shí)，如圖所示，采用以下兩個(gè)主要器件反并聯(lián)，以保證工作電流是否能夠沿正反兩個(gè)發(fā)展方向流通。如果把兩只反并聯(lián)的可控硅制作在同一塊硅片上，便構(gòu)成雙向可控硅，控制極共用一個(gè)，使電路設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化，其特性研究如下：

在控制極G上沒(méi)有信號(hào)，在A1和A2之間有一個(gè)高阻抗，并且管被切斷。

在V1.5V時(shí)，導(dǎo)通可以由G觸發(fā)電流控制，而與極性無(wú)關(guān)。 A1A2

在交流電運(yùn)行時(shí)，純阻性負(fù)載通常每半周交流一次可以恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)，但在感性負(fù)載下，電流相位滯后于電壓。當(dāng)電流為零時(shí)，反向電壓可能超過(guò)轉(zhuǎn)向電壓，導(dǎo)致管道朝相反的方向傳導(dǎo)。因此要求管子能夠承受這種反向電壓，并且一般要增加 rc 吸收電路。

A1，A2可以進(jìn)行調(diào)換學(xué)生使用，觸發(fā)不同極性可正可負(fù)，但觸發(fā)工作電流有差異。

雙向可控硅經(jīng)常用做交流電調(diào)壓,調(diào)功，調(diào)溫和無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。過(guò)去其觸發(fā)脈沖一般都用硬件設(shè)計(jì)電路發(fā)展產(chǎn)生。故檢測(cè)和控制都不夠靈活，而在單片機(jī)內(nèi)部控制技術(shù)應(yīng)用管理系統(tǒng)中則經(jīng)常我們可以充分利用網(wǎng)絡(luò)軟件環(huán)境產(chǎn)生觸發(fā)脈沖。