識(shí)別可控硅三極的方法很簡單。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。根據(jù)pn結(jié)原理，用萬用表測(cè)量三極之間的電阻值即可。

　　陽極與陰極保護(hù)之間的正向和反向影響電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向進(jìn)行電阻在幾百千歐以上(它們發(fā)展之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且研究方向具有相反，因此作為陽極和控制極正反向都不通)。

控制極和陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，其正向電阻在幾歐元-幾百歐元范圍內(nèi)，反向電阻大于正向電阻。然而，控制極二極管的特性并不理想，反向不是完全阻塞狀態(tài)，可以有相對(duì)較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)量的控制極反向電阻相對(duì)較小，并不意味著控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制桿的正負(fù)電阻時(shí)，應(yīng)將萬用表放在R*10或R*1塊中，以防止高壓控制桿反向擊穿。

如果元件陰極和陽極的正、負(fù)方向短路，或者陽極和控制電極短路，或者控制電極和陰極短路，則元件損壞。

晶閘管分為單向晶閘管和雙向晶閘管，兩者均為三電極。單向可控硅具有陰極(k)、陽極(a)、控制電極(g)。雙向晶閘管相當(dāng)于兩個(gè)單項(xiàng)晶閘管反向并聯(lián)。單向硅陽極的一側(cè)與陰極的另一側(cè)相連，其前端稱為 t2極。一個(gè)單向硅陰極的前端與另一個(gè)陽極相連，其前端稱為 t2極，其余為控制極(g)。

1、單向和雙向晶閘管的區(qū)分:首先測(cè)量兩極。如果正負(fù)測(cè)量指針不動(dòng)(R×1檔)，它們可能是A、K或G、A極(對(duì)于單向晶閘管)或T2、T1或T2、G極(對(duì)于雙向晶閘管)。如果其中一個(gè)測(cè)量指示是幾十到幾百歐姆，那一定是單向可控硅。而紅筆接K極，黑筆接G極，其余為A極。如果正反向測(cè)量指示都是幾十到幾百歐姆，那一定是雙向晶閘管。然后將旋鈕轉(zhuǎn)到R×1或R×10檔進(jìn)行重新測(cè)試。如果一次電阻值稍大，大一點(diǎn)的接G極，黑一點(diǎn)的接T1極，剩下的接T2極。

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向控制可控硅，紅筆接K極，黑筆記錄同時(shí)進(jìn)行接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下可以斷開G極，指針應(yīng)指示中國幾十歐至一百歐，此時(shí)通過可控硅已被作為觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)工作電流小)。然后根據(jù)瞬時(shí)系統(tǒng)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明采用可控硅交流良好。

對(duì)于1~6A雙向CR，紅筆連接到T1極，黑筆同時(shí)連接到G極和T2極。在確保黑色筆不與T2桿分開的前提下，指針應(yīng)該指示數(shù)十到100歐元（取決于當(dāng)前的尺寸和制造商）。然后調(diào)整兩對(duì)，重復(fù)上述步驟一次，指針指示比上一次略大于10到幾十歐元，表明可控硅良好，觸發(fā)電壓（或電流）較小。