可控硅可控硅等器件，在實(shí)際使用過(guò)程中由于自身的功耗和加熱。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。如果我們不采取適當(dāng)?shù)拇胧┓懦鰺崃?，很可能?dǎo)致組件 pn 結(jié)溫度急劇上升。這個(gè)裝置的特性不斷惡化，直到它被完全摧毀。因此，為了保證可控硅的正常使用，合理的散熱十分重要?？煽毓璩Ｓ玫睦鋮s方式有自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷卻、油冷卻等。

一般來(lái)說(shuō)，晶閘管的結(jié)溫不容易直接測(cè)量，不能作為衡量晶閘管結(jié)溫是否超溫的標(biāo)準(zhǔn)?？刂颇K層溫度是控制節(jié)點(diǎn)溫室的有效方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫TJ與外殼溫度Tc之間存在一定的溫度梯度，所以在外殼溫度已知的情況下，結(jié)溫也是已知的，較大的外殼溫度Tc是有限的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。

借助于溫度進(jìn)行控制系統(tǒng)開(kāi)關(guān)，可以更加方便地通過(guò)測(cè)量管理模塊基板與散熱器接觸的溫度(溫度傳感元件應(yīng)放置在模塊基板的較高溫度以及位置)。由溫度達(dá)到控制天關(guān)測(cè)得的殼體溫度，可用來(lái)分析判斷功能模塊設(shè)計(jì)是否能夠正常發(fā)展工作。如果在電路中分別添加學(xué)生一個(gè)或兩個(gè)方面溫度數(shù)據(jù)控制電路來(lái)控制風(fēng)扇的開(kāi)度或主電路的關(guān)斷，則可以有 效地保證可控硅在額定結(jié)溫下工作。

當(dāng)然，需要注意的是，溫度控制開(kāi)關(guān)測(cè)量的溫度是指模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境和空氣對(duì)流的影響，與溫度有一定的間隙。模塊與散熱器之間的接觸面。