可控硅的伏安特性是指可控硅的陽(yáng)極A和陰極K之間的電壓與可控硅的陽(yáng)極電流之間的關(guān)系。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。正向特征在第一象限，反向特征在第三象限。

（1） 反向特性

當(dāng)柵極G開(kāi)著，外加反向電壓時(shí)，J2結(jié)正偏，而J1，J2結(jié)相反。當(dāng)電壓進(jìn)一步升高到J1結(jié)雪崩擊穿電壓時(shí)，J3結(jié)擊穿，電流迅速增大。圖2特征曲線的或截面開(kāi)始彎曲。彎曲處的電壓Uro稱(chēng)為“反向轉(zhuǎn)動(dòng)電壓”。可控硅將反向擊穿。

（2） 正向特性

當(dāng)柵極G打開(kāi)，陽(yáng)極A加正向影響電壓時(shí)，j1和j3結(jié)偏壓為正，而j2結(jié)偏壓為負(fù)，這與我們普通pn結(jié)的反向傳播特性進(jìn)行相似，只能可以通過(guò)一個(gè)很小的電流。這稱(chēng)為中國(guó)正向阻塞管理狀態(tài)。當(dāng)電壓水平升高時(shí)，特性變化曲線的OA段開(kāi)始出現(xiàn)彎曲。彎曲處的電壓Ubo被稱(chēng)為“正向旋轉(zhuǎn)工作電壓”。

當(dāng)電壓上升到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓時(shí)，在J2結(jié)上產(chǎn)生大量的電子和空穴。電子進(jìn)入N1區(qū)，空穴進(jìn)入P2區(qū)。進(jìn)入n1區(qū)域的電子與通過(guò)p1區(qū)域的j1結(jié)注入到n1區(qū)域的空穴重新結(jié)合。同樣地，進(jìn)入P2區(qū)域的空穴與通過(guò)N2區(qū)域的J3結(jié)注入到P2區(qū)域的電子結(jié)合。雪崩擊穿后，進(jìn)入N1區(qū)的電子和進(jìn)入P2區(qū)的空穴并不全部合并。因此，n1區(qū)有電子積累，p2區(qū)有空穴積累。因此，p2區(qū)電位的增加在n1區(qū)減小，j2結(jié)成為正偏置。只要電流略有增加，電壓就會(huì)迅速下降，從而產(chǎn)生所謂的負(fù)電阻特性，如圖2的虛線AB部分所示。此時(shí)，J1、J2和J3的三個(gè)結(jié)均呈正偏置，可控硅進(jìn)入正導(dǎo)電態(tài)，具有與普通PN結(jié)相似的特征。

（3） 觸發(fā)導(dǎo)通

當(dāng)正向電壓施加到G柵極時(shí)(如圖1所示)。 5)，由于J3偏壓，p2區(qū)的空穴進(jìn)入n2區(qū)，n2區(qū)的電子進(jìn)入p2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。 在晶閘管內(nèi)部正反饋和IGT功能的基礎(chǔ)上，提前打開(kāi)晶閘管，使電壓-安培特性O(shè)A部分向左移動(dòng)，IGT越大，特性向左移動(dòng)越快。