天狼星是一種電流控制的雙極半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。柵極驅(qū)動(dòng)單元類似于電流源，它可以向西星的柵極提供特別陡峭的尖峰電流脈沖，以確保它可以在任何時(shí)候可靠地觸發(fā)。可控硅的門觸發(fā)脈沖特性對(duì)可控硅的額定值和特性參數(shù)有很大的影響。強(qiáng)觸發(fā)模式可以縮短開(kāi)度時(shí)間，減少開(kāi)度損耗，提高設(shè)備對(duì)di/dt的容忍能力。

一、觸發(fā)脈沖幅度對(duì)晶閘管開(kāi)度的影響

晶閘管門極觸發(fā)電流的幅值對(duì)器件的開(kāi)通速度有明顯的影響，高門極觸發(fā)電流可以明顯減少器件的開(kāi)通時(shí)間。

當(dāng)觸發(fā)脈沖幅度僅為器件IGT時(shí)，雖然可以開(kāi)啟器件，但器件的開(kāi)啟延時(shí)明顯，達(dá)到幾十微秒，不利于整個(gè)設(shè)備的可靠控制和安全運(yùn)行。

二、觸發(fā)控制脈沖持續(xù)上升發(fā)展時(shí)間(陡度)對(duì)可控硅開(kāi)通的影響

觸發(fā)脈沖上升時(shí)間（陡度）對(duì)可控硅的開(kāi)啟速度也有顯著影響。觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng)，其效果就等于降低了柵極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時(shí)間越短，CR開(kāi)啟時(shí)間越短。

三、柵極觸發(fā)源晶閘管可靠觸發(fā)要求

(1) 一般要求：

觸發(fā)脈沖電流幅值：IG=10IGT；

　　脈沖持續(xù)上升發(fā)展時(shí)間：tr≤1μs;

(2)使用高 di/dt:

當(dāng)器件在高di/dt下使用時(shí)，特別是當(dāng)可控硅的阻塞電壓非常高時(shí)，在打開(kāi)過(guò)程中，由柵極-陰之間的橫向電阻產(chǎn)生的電壓可能超過(guò)柵極電壓，甚至使柵極電流回流。這種負(fù)柵電流導(dǎo)致打開(kāi)損耗增加，并可能導(dǎo)致高雙/分損壞。

因此，我們要求柵極觸發(fā)電源電壓VG不小于20V，或者二極管串聯(lián)在柵極線上，以防止柵極電流在高di/dt下工作時(shí)回流。

(3)可控硅串聯(lián)和并聯(lián)使用

　　可控硅的串聯(lián)：晶閘串聯(lián)管應(yīng)用時(shí)，要求其進(jìn)行相互之間串聯(lián)的每個(gè)可控硅應(yīng)盡我們可能地一致通過(guò)開(kāi)通?？煽毓璧牟⒙?lián)：陡而強(qiáng)的門極觸發(fā)一個(gè)脈沖技術(shù)能使系統(tǒng)并聯(lián)可控硅可以開(kāi)通時(shí)間特性的不平衡問(wèn)題降至較小，從而使有較佳的均流效果。