1957年制造出基于硅單晶的P1N1P2N2四層三端器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。由于其特性與真空晶閘管相似，國際上通常稱之為硅晶閘管，簡稱可控硅 T。由于可控硅應(yīng)用于可控整流，所以也叫可控硅整流元件，簡稱可控硅。

在性能上，可控硅不僅可以具有一個單向?qū)щ娦?，而且同時還具有比硅整流電路元件（俗稱“死硅”）更為重要可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種不同狀態(tài)。

Siroso可以用毫級電流控制大功率機電設(shè)備。如果頻率超過該頻率，由于分量的開關(guān)損耗顯著增加，則允許通過的平均電流減小。此時，標(biāo)稱電流應(yīng)降低。

晶閘管具有小功率控制大功率、功率放大幾十萬次、反應(yīng)速度快、開關(guān)在微秒級、無接觸、無火花、無噪聲、效率高、成本低等優(yōu)點。

可控硅缺點: 靜、動態(tài)過載能力差，易受干擾誤導(dǎo)。

從外觀上看，可控硅可分為螺栓形、平板形和平底形。