產(chǎn)生過(guò)電流的原因進(jìn)行多種形式多樣，當(dāng)變流裝置公司內(nèi)部結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或觸發(fā)信息系統(tǒng)可以發(fā)生一些故障、可逆?zhèn)鲃?dòng)環(huán)流過(guò)大或逆變失敗、交流電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相、負(fù)載過(guò)載等，均會(huì)引起裝置中電力企業(yè)電子器件的電流超過(guò)一個(gè)正常管理工作電流。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。由于可控硅的過(guò)流能力比一般通過(guò)電氣工程設(shè)備低得多，因此，必須對(duì)可控硅采取過(guò)電流環(huán)境保護(hù)政策措施?！　?/p>

在制動(dòng)裝置中可使用幾種過(guò)流保護(hù)措施：

1、大漏抗整流變壓器與交流輸入線(xiàn)串聯(lián)使用電抗來(lái)限制短路電流，但當(dāng)交流電流較大時(shí)，這種方法會(huì)產(chǎn)生交流電壓降。

2、在電檢測(cè)和過(guò)電流繼電器電流檢測(cè)中，將采樣電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)采樣電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，比較器輸出信號(hào)增大相移角或拉反以減小電流。 有時(shí)需要停機(jī)。

3、直流系統(tǒng)快速進(jìn)行開(kāi)關(guān)以及對(duì)于變流裝置功率大且短路可能性較多的場(chǎng)合，可采用動(dòng)作發(fā)展時(shí)間我們只有2ms的直流快速開(kāi)關(guān)，它能夠先于經(jīng)濟(jì)快速熔斷器斷開(kāi)而保護(hù)了可控硅，但價(jià)格比較昂貴使用方法不多。

4、快速通過(guò)熔斷器與普通熔斷器進(jìn)行比較，快速熔斷器是專(zhuān)門(mén)可以用來(lái)作為保護(hù)中國(guó)電力發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)備功率控制器件過(guò)電流的元件，它具有經(jīng)濟(jì)快速出現(xiàn)熔斷的特性，在流過(guò)6倍額定工作電流時(shí)其熔斷導(dǎo)致時(shí)間成本小于工頻的一個(gè)生命周期（20ms）。快速熔斷器可接在信息交流側(cè)、直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者沒(méi)有直接影響效果佳。一般企業(yè)說(shuō)來(lái)就是快速熔斷器額定電壓電流值（有效值IRD）應(yīng)小于被保護(hù)采用可控硅的額定方均根通態(tài)電流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同時(shí)要大于我們流過(guò)可控硅的實(shí)際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。