1、檢查低功耗晶體二極管

區(qū)分正極和負(fù)極

(a)、觀察一個(gè)外殼上的的符號(hào)進(jìn)行標(biāo)記。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。通常在使用二極管的外殼產(chǎn)品上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有兩個(gè)三角形通過箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。

(b).觀察外殼上的色點(diǎn)。接觸二極管，通常標(biāo)記為極性殼（白色或紅色）。一般來(lái)說，彩色點(diǎn)的一端是正極。也有標(biāo)記有色環(huán)的二極管，色環(huán)的一端是負(fù)極。

(c)根據(jù)電阻值較小的一次測(cè)量，與黑色觸針連接的一端為正，與紅色觸針連接的一端為負(fù)。

B 檢查高頻調(diào)頻。除了晶體管的工作頻率可以在相關(guān)的特性表中找到外，在實(shí)踐中經(jīng)常使用它來(lái)通過對(duì)二極管內(nèi)部導(dǎo)線的眼睛觀察來(lái)區(qū)分工作頻率。例如，點(diǎn)接觸二極管屬于高頻二極管，表面接觸二極管大多是低頻二極管。此外，萬(wàn)用表 r × 1k 塊也可用于測(cè)試，一般最高頻管的正向電阻小于1k。

c .檢測(cè)高反向擊穿電壓VRM。對(duì)于交流電來(lái)說，因?yàn)槭遣粩嘧兓?，所以反向工作電壓高也是二極管承受的交流電峰值電壓。需要指出的是，高反向工作電壓并不是二極管的擊穿電壓。一般來(lái)說，二極管的擊穿電壓比高反向工作電壓高得多(大約高兩倍)。

2、檢測(cè)玻封硅高速控制開關(guān)通過二極管

硅高速開關(guān)二極管的檢測(cè)方法與普通二極管的檢測(cè)方法相同。不同之處在于，該管有一個(gè)很大的正向阻力。當(dāng)電阻為R1k時(shí)，正向電阻為5k~10k，反向電阻為無(wú)窮大。

3、檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)一個(gè)二極管

用萬(wàn)用表檢測(cè)快恢復(fù)二極管和超快恢復(fù)二極管的方法與檢測(cè)塑料硅整流二極管的方法基本相同。首先用 r × 1k 塊測(cè)量單向電導(dǎo)率，一般正向電阻約為4.5 k，反向電阻無(wú)窮大，然后用 r × 1塊再次測(cè)量。

4、檢測(cè)雙向觸發(fā)二極管

　　A、將萬(wàn)用表可以置于R×1k擋，測(cè)雙向選擇觸發(fā)一個(gè)二極管的正、反向影響電阻值都應(yīng)為具有無(wú)窮大。若交換表筆分別進(jìn)行分析測(cè)量，萬(wàn)用表主要指針向右擺動(dòng)，說明被測(cè)管有漏電性故障。

將萬(wàn)用表放入相應(yīng)的直流電壓塊中。測(cè)試電壓由MT表提供。在測(cè)試過程中，搖動(dòng)兆瓦級(jí)電能表，萬(wàn)用表表示的電壓值為被測(cè)管道的VBO值。然后切換被測(cè)管的兩個(gè)針腳，用相同的方法測(cè)量VBR值。然后將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的絕對(duì)值差越小，測(cè)量的雙向觸發(fā)二極管的對(duì)稱性越好。

5、瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)的檢測(cè)

使用萬(wàn)用表 r × 1k 塊來(lái)測(cè)量管道的質(zhì)量

對(duì)于單極性TVS，按照測(cè)量普通二極管的方法，可以測(cè)量正向和反向電阻。一般正向電阻約為4 kω，反向電阻無(wú)窮大。