規(guī)則1。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。為了引導(dǎo)流管（或bi），你必須有一個(gè)柵極電流IGT，直到達(dá)到負(fù)載電流

伊爾。 考慮到可能遇到的低溫，必須滿足該條件。

第2條規(guī)則。若要斷開(kāi)(開(kāi)關(guān))晶閘管(或雙向晶閘管) ，負(fù)載電流必須在一段時(shí)間內(nèi)恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)。上述條件必須在可能的高操作溫度下滿足。

規(guī)則3。在設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，應(yīng)盡可能避免使用3+象限(WT2-，+)。

規(guī)則4。為減少對(duì)于雜波進(jìn)行吸收，門(mén)極連線工作長(zhǎng)度可以降至低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若

使用硬線，與螺旋雙線或屏蔽線。門(mén)極和MT1的電阻為1kΩ或更小。高頻旁路電容

以及柵極之間的串聯(lián)電阻。 另一個(gè)解決方案是使用H系列低靈敏度triac。

規(guī)則5。 如果 dvd/dt 或 dvcom/dt 可能導(dǎo)致問(wèn)題，則在 mt1和 mt2之間添加 rc 緩沖區(qū)。

如果高dICOMu002Fdt可能導(dǎo)致問(wèn)題，增加幾mH的電感和串聯(lián)負(fù)載。

另一種方式解決管理辦法，采用Hi-Com 雙向控制可控硅。

規(guī)則6。如果在嚴(yán)重和異常的供電時(shí)刻可能超過(guò)雙向可控硅的VDRM，請(qǐng)使用它

列措施之一：

負(fù)載上串聯(lián)電感數(shù) μ H以限制DIT/dt的不飽和電感器。

在電源端與電源相連接，并在電源端加有濾波電路。

規(guī)則7。選擇一個(gè)好的門(mén)極觸發(fā)電路，避免3+象限工作狀態(tài)，可以大大提高雙向晶閘管的性能。

dIT/dt 承受工作能力。

規(guī)則8。如果可能超過(guò)雙向CR的dIT/dt，則在負(fù)載上連接幾個(gè)H芯電感

或負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。 另一個(gè)解決方案：電阻負(fù)載的零電壓傳導(dǎo)。

規(guī)則9。當(dāng)設(shè)備固定到散熱器上時(shí)，應(yīng)避免雙向應(yīng)力。固定，然后焊接導(dǎo)線。不要放

鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

規(guī)則10。為了一個(gè)長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠安全工作，應(yīng)保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于企業(yè)可能的較高社會(huì)環(huán)境進(jìn)行溫度。