可控硅的核心是一個(gè)由 p 型硅和 n 型硅組成的四層 p1n1p2n2結(jié)構(gòu)，不論可控硅的形狀如何，三個(gè) pn 結(jié)，三個(gè)外部電極。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。它由三個(gè) pn 結(jié)(j 1，j 2，j 3)組成，從 p1層的 j 1結(jié)構(gòu)通向陽極 a，從 n2層通向負(fù) k，從 p2層通向控制極 g，所以它是一個(gè)四層三端半導(dǎo)體器件。

從可控硅的電路符號可以看出，它是一個(gè)和二極管一樣的單向?qū)ㄆ骷?，關(guān)鍵是它有一個(gè)控制電極G，使得它具有和二極管完全不同的工作特性。

以硅單晶為基本結(jié)構(gòu)材料的P1N1P2N2四層三端器件,因?yàn)樗奶匦赃M(jìn)行類似于一個(gè)真空閘流管，所以目前國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T，又因?yàn)橥ㄟ^可控硅之初的在靜止或者整流技術(shù)方面，所以我們又被人們稱之為硅可控以及整流電路元件，簡稱為可控硅可控硅。

在性能方面，SISR不僅具有單向?qū)щ娦?，而且比硅整流元件（通常稱為“死硅”）具有更有價(jià)值的可控性。它只有兩種狀態(tài)：開和關(guān)閉。

晶閘管可以用毫安電流控制大功率機(jī)電設(shè)備。如果超過這個(gè)頻率，由于元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相位會減少。此時(shí)，額定電流應(yīng)降低，以便使用。

可控硅有許多優(yōu)點(diǎn)，如: 低功率控制大功率，功率放大倍數(shù)可達(dá)十萬倍; 反應(yīng)非?？欤谖⒚腴_關(guān)時(shí); 無觸點(diǎn)操作，無火花，無噪音; 高效率，低成本等。

從外觀上看，可控硅可分為螺栓形、平板形和平底形。

以上問題就是可控硅廠家和大家進(jìn)行講解的可控硅器件的工作基本原理。

可控硅的工作過程和工作原理