可控硅(scr)是一種硅元件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。硅元件的共同特點(diǎn)是過(guò)載能力差，在使用過(guò)程中容易燒毀。為什么會(huì)這樣？

下面可控硅廠家跟大家探討一下可控硅燒壞的具體原因:

可控硅燒壞大多企業(yè)都是由溫度要求過(guò)高造成的，而溫度是產(chǎn)品的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)特性可以決定的，因此在進(jìn)行研制、生產(chǎn)發(fā)展過(guò)程中的產(chǎn)品服務(wù)質(zhì)量應(yīng)這三方面入手，而且學(xué)生三者是密不可分的。

因此，在開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)充分考慮電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。有很多原因，一般或三一起使產(chǎn)品燃燒，單一特性下降很難導(dǎo)致制動(dòng)管燃燒，所以我們可以在生產(chǎn)過(guò)程中充分利用這個(gè)特性，也就是說(shuō)，如果其中一個(gè)應(yīng)力不能滿足要求，可以改善另外兩個(gè)應(yīng)力來(lái)彌補(bǔ)。

通常，在陰極表面或芯片邊緣上存在小的黑點(diǎn)，這表明損壞是由電壓引起的，并且電壓引起損壞的原因有兩個(gè)。 電壓故障包括早期故障、中期故障和晚期故障。 二是線路問(wèn)題，線路產(chǎn)生過(guò)電壓，并采取了故障保護(hù)措施。

根據(jù)各相參數(shù)，頻繁事故參數(shù)為電壓、電流、 dv/dt、 di/dt、漏電流、開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等。由于各參數(shù)性能下降或電路問(wèn)題會(huì)造成設(shè)備燒損，從表面看各參數(shù)造成的可控硅燒損現(xiàn)象不同，因此，通過(guò)對(duì)燒損產(chǎn)品的剖析，我們可以確定造成燒損產(chǎn)品的參數(shù)。

以上就是力可控硅廠家和大家講解的可控硅燒壞的具體原因。

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