有很多客戶在咨詢過程中問自己最近改變了硅有多壞？經(jīng)我們的分析和實驗作以下解釋，供參考。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。

高溫會導(dǎo)致晶閘管燒壞，溫度是由晶閘管電性能、熱性能和結(jié)構(gòu)性能決定，因此，為了保證晶閘管在開發(fā)和生產(chǎn)過程中的質(zhì)量，必須從電特性、熱特性和結(jié)構(gòu)特性三個方面入手，這三個方面是緊密聯(lián)系和不可分割的。 因此，在可控硅的開發(fā)和生產(chǎn)中應(yīng)充分考慮電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。 晶閘管燒壞的原因有很多，一般來說，晶閘管只有在三者共同作用下才會燒壞，并且由于單個特性的退化，很難導(dǎo)致晶閘管燒壞。 因此，我們可以在生產(chǎn)過程中充分利用這一特點，即如果其中一個應(yīng)力不能滿足其他兩個應(yīng)力的要求，可以采取增加的方式進(jìn)行彌補(bǔ)。

從可控硅的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關(guān)斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘 管各參數(shù)性能的下降或線路問題會造成可控硅燒壞，從表面看來每個參數(shù)所造成可控硅燒壞的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒壞的可控硅就可以判斷是哪個參數(shù)造成 可控硅燒壞的。

電壓引起可控硅燒壞現(xiàn)象

一般這種情況下進(jìn)行陰極材料表面或芯片邊緣有一燒壞的小黑點說明是由于工作電壓可以引起的，由電壓變化引起燒壞可控硅的原因有兩中可能，一是可控硅電壓控制失效，就是因為我們現(xiàn)在常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是旅游線路設(shè)計問題，線路中產(chǎn)生了過電壓，且對可控硅所采取的保護(hù)管理措施分析失效。

電流導(dǎo)致可控硅被燒毀

電流是否燒壞可控硅通常是通過陰極材料表面有較大的燒壞痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬進(jìn)行大面積溶化。

Di/dt 引起的可控硅燒毀

由di/dt引起的晶閘管燒損容易判斷，在柵電極或柵電極附近通常會燒一個小的黑點。 我們知道，晶閘管的等效電路由兩個晶閘管組成，柵極對應(yīng)的晶閘管作為觸發(fā)器，當(dāng)觸發(fā)信號到達(dá)時放大，然后盡快導(dǎo)通主晶閘管。 但是，如果在短時間內(nèi)電流過大，則主晶閘管沒有完全導(dǎo)通，大電流主要流過柵極對應(yīng)晶閘管，晶閘管承載電流的容量很小，因此導(dǎo)致該晶閘管燒壞，表面看起來是門極或?qū)㈤T極放在附近燒出一個小黑點。

　　dv/dt引起控制可控硅燒壞或者現(xiàn)象

　　至于dv/dt其本身是不會燒壞可控硅的，只是高的dv/dt會使可控硅誤觸發(fā)導(dǎo)通，其表面現(xiàn)象跟電流燒壞的現(xiàn)象差不多。