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可控硅調(diào)壓產(chǎn)品在感性負載和電阻負載應(yīng)用中的不同點及注意事項

發(fā)布時間: 2022-09-23 10:17:13    人氣:427 次

1. 電阻性負載與知覺性負載的差異

阻性負載和感性負載的區(qū)別在于:

電阻我們不能進行存貯能量,但感性負載但能貯存能量。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。晶閘管一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。電感中的電流發(fā)生變化情況時會導(dǎo)致產(chǎn)生反電勢。電流不斷變化發(fā)展越快,反電勢越高。如電感負載可以使用中突然開路,將會擊穿可控硅。

2.感性負載應(yīng)用問題

(1)當(dāng)感知負載關(guān)閉時,電流會產(chǎn)生高電壓,容易引起可控硅擊穿。電阻吸收電路在關(guān)閉時可以吸收過電壓。注:R1和C1分別用于電阻吸收。圖(1)

(1)單相交流應(yīng)用

 當(dāng)(2)整流模塊應(yīng)用于電感負載時,當(dāng)模塊停止時,應(yīng)緩慢關(guān)閉整流模塊,否則電感器中的背電位可能會使模塊擊穿。 在不可逆系統(tǒng)中,建議增加續(xù)流二極管。 如圖(2)所示,D1是飛輪,L1是感應(yīng)負載。

(2)感性負載應(yīng)用

(3)感應(yīng)負載在整流器應(yīng)用中,如果沒有反激二極管,控制信號在0-5v 范圍內(nèi)輸出直流電壓很低,但交流電壓很高,控制信號大于5伏,輸出直流電壓開始增加(不用反激二極管)。

原因:感性負載中儲存的能量在電網(wǎng)電壓過零時無法關(guān)閉并繼續(xù)開啟,導(dǎo)致負電壓輸出,使得模塊輸出的DC電壓接近零伏。

(4)感性負載在交流調(diào)壓模塊設(shè)計應(yīng)用中也有其固有社會現(xiàn)象,變壓器原邊調(diào)壓時如果是空載或者工作負載很輕時,控制系統(tǒng)信號相互作用研究范圍很窄。負載能力越大越趨于一個正常。

原因是:

1.空載(變壓器)電流很小,不能保持可控硅的正常傳導(dǎo)。

變壓器阻抗角很大。

控制感性負載時,特別是變壓器空載時,輸出電壓不平衡。

原因是感性負載關(guān)斷時的關(guān)斷電壓很高,與感性負載大小有關(guān)的三相負載之間的誤差會造成很大的電壓不平衡。

以上可控硅廠家為您簡單分析介紹了可控硅調(diào)壓技術(shù)產(chǎn)品在感性和阻性負載數(shù)據(jù)應(yīng)用中的不同點和注意安全事項,希望自己能給您的選擇帶來幫助,如果您有沒有其他不解或疑問企業(yè)可以致電公司發(fā)展進行系統(tǒng)詳細信息咨詢,我們將給您專業(yè)的解答。