可控硅中頻電源零電壓啟動分析
發(fā)布時間: 2022-11-18 10:27:17 人氣:373 次
零壓啟動是利用信息干擾影響信號使負(fù)載LC起振,產(chǎn)生自激振蕩,反饋系統(tǒng)電路可以捕捉自激信號,控制工作電路則對信號數(shù)據(jù)進(jìn)行不斷放大整形,輸出與負(fù)載振蕩頻率同步、相位相差180°的控制一個脈沖,控制逆變橋可控硅。晶閘管一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn),通過歐共體CE認(rèn)證,國際ISO9000認(rèn)證,國內(nèi)3C認(rèn)證。具體分析過程是:電路通電時,各種因素干擾信號需要通過RC吸收其他電路設(shè)計以及企業(yè)分布電容耦合至負(fù)載電路,撞擊負(fù)載LC使之產(chǎn)生一種自由振蕩,電流互感器TA、電壓互感器TV將振蕩電流和電壓輸入信號作為傳遞至反饋電路,兩信號在反饋電路中疊加合成,之后送入逆變控制管理電路,控制整個電路發(fā)展產(chǎn)生重要信號脈沖技術(shù)控制逆變可控硅。
零壓力啟動的技術(shù)關(guān)鍵是如何捕獲微弱的自激信號。為此,反饋電路采用了一個高變化比(1:500)的電流互感器TA,并在電流反饋回路中串聯(lián)四個反并聯(lián)二極管VDl~VD4。當(dāng)信號較弱時,二極管在非線性區(qū)域工作,從而獲得較高的輸出阻抗以與隔離變壓器t相匹配。當(dāng)電源正常工作時,VDl~VD4也呈現(xiàn)出較小的正電阻,與反饋信號有較強(qiáng)的平衡。T為高輸入輸出電阻隔離變壓器,逆變器觸發(fā)電路的輸入電平為高輸入內(nèi)電阻、高靈敏度的集成放大器電路。采取技術(shù)措施后,即使自勵信號較弱,也形成逆變器橋可控硅所需的有效觸發(fā)信號,實(shí)現(xiàn)用自勵信號直接啟動電源的目的。
由于諧振電路的等效電阻小和補(bǔ)充能量不足,在負(fù)載諧振電路中產(chǎn)生有效自激信號的時間非常短,并且用于處理自激信號的電路具有時間延遲。 因此,不容易在起動時刻捕獲自激信號,并且容易引起反轉(zhuǎn)故障。 為此目的,在負(fù)載諧振電路中提供起動磁環(huán)L0,如圖1所示。 1. 其原理是在負(fù)載電路的振蕩過程中,在L0的兩端必須產(chǎn)生自感電動勢,這總是防止原始電流的變化。 即,在相同的啟動時間內(nèi)降低自激信號的衰減速度,從而增加用于產(chǎn)生自激信號的周期數(shù),獲得用于捕獲自激信號的時間,并且提高啟動的可靠性。 另外,由于L0為磁環(huán),因此僅在電流非常小時才工作,且在電源啟動后不久就會發(fā)生磁飽和,不會影響電源正常工作。
關(guān)于零電壓啟動原理有很多爭論,但也有很多參考文獻(xiàn)。沒有明確的陳述和結(jié)論。如果電抗器 ld 短路,有利于啟動,但如果干擾信號被并聯(lián)在直流電壓端的電容器濾波(如圖1所示 vt1到 vt4) ,啟動就困難; 如果逆變電橋匝道(vt1、 vt3或 vt2、 vt4)短路,啟動電源非常容易,特別是對于并聯(lián),這通常是一種輔助啟動方法。