普通晶閘管(scr)本質(zhì)上是一個(gè)直流控制裝置。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。為了控制交流負(fù)載，兩個(gè)可控硅必須通過反向極性連接，這樣每個(gè)可控硅就可以控制一個(gè)半波。這需要兩個(gè)獨(dú)立的觸發(fā)電路，這不夠方便。

雙向晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。它不僅可以代替兩個(gè)并聯(lián)的反極性晶閘管，而且只需要一個(gè)觸發(fā)電路。是一種理想的交流開關(guān)設(shè)備。它的英文名TRIAC代表三端雙向交流開關(guān)。

構(gòu)造原理

盡管存在雙向控制可控硅模塊可以自己看作是兩個(gè)中國普通可控硅的組合，但它發(fā)展實(shí)際上是由七個(gè)晶體管和多個(gè)通過電阻器結(jié)構(gòu)組成的功率進(jìn)行集成電路器件。低功率以及雙向調(diào)節(jié)可控硅通常我們采用不同塑料材料封裝，有些企業(yè)還具有散熱片。形狀設(shè)計(jì)如圖1所示。典型的產(chǎn)品是BCMlAM（1A/600V），BCM3AM（3A/600V），2N6075（4A/600V），MAC218-10（8A/800V）等。大功率三端雙向可控硅開關(guān)技術(shù)主要研究采用RD91封裝。三端雙向可控硅開關(guān)的主要特征參數(shù)如附表如下所示。

雙向硅屬于NPNNN五層器件，三個(gè)電極為T1、T2和G。由于器件可以雙向連接，除柵G外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端，采用T1和T2。表示它不再被分為陽極或陰極。其特征是，當(dāng)G極和T2極的電壓相對于T1相對為正時(shí)，T2是陽極，T1是陰極。相反，當(dāng)G和T2極的電壓相對于T1為負(fù)時(shí)，T1成為陽極，T2成為陰極。由于正向和反向特性曲線的對稱性，三端雙向開關(guān)開關(guān)的伏安特性可以在任意方向上開啟。

以上是晶閘管制造商和大家講解雙向晶閘管的特性和用途。

使用雙向可控硅，這是值得點(diǎn)擊