如何辨別可控硅的損壞原因？

 當(dāng)可控硅損壞后需求可以查看學(xué)生剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開(kāi)芯盒再取出一個(gè)芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。下面我們介紹以下幾種比較常見(jiàn)問(wèn)題表象深入剖析。

電流損壞。電流損傷的痕跡的特征是芯片被燒成一個(gè)坑和粗糙，遠(yuǎn)離控制桿。

電壓擊穿。可控硅(scr)被不可接受的電壓損壞，其芯片上有一個(gè)小的、發(fā)光的孔，有時(shí)可以通過(guò)擴(kuò)展器看到。原因可能是電子管本身對(duì)電壓降的電阻或斷開(kāi)電路時(shí)發(fā)生的高壓擊穿。

電流上升率損害。痕跡和電流損傷一樣，方向不是靠近控制桿，就是在控制桿上方。

邊緣損傷。它發(fā)生在芯片的外圓倒角處，有微小的亮孔。用放大鏡可以看到倒角面上細(xì)小的金屬劃痕。這是由制造商的粗心大意造成的。它會(huì)導(dǎo)致電壓崩潰。

以上4種緣由這些都是通過(guò)可控硅的常見(jiàn)問(wèn)題損壞緣由，遇到可控硅損壞其他事情，應(yīng)鎮(zhèn)定剖析。