晶閘管(scr)是一種四層三端子 p1n1p2n2元件，具有三個(gè) pn 結(jié)。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。經(jīng)分析，可以認(rèn)為是 pnp 管和 npn 管

當(dāng)陽(yáng)極A加上中國(guó)正向影響電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于社會(huì)放大系統(tǒng)狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入進(jìn)行一個(gè)具有正向作用觸發(fā)數(shù)據(jù)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電極輸出電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極之間直接與BG1的基極通過(guò)相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極最大電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)工作電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷發(fā)展增大，如此可以正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)不同管子的電流需求劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。

由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋促進(jìn)作用，所以我們一旦可控硅導(dǎo)通后，即使進(jìn)行控制極G的電流消失了，可控硅仍然需要能夠有效維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于時(shí)間觸發(fā)一個(gè)信號(hào)只起觸發(fā)因素作用，沒(méi)有關(guān)斷系統(tǒng)功能，所以對(duì)于這種可控硅是不可關(guān)斷的。

由于它只有兩種工作狀態(tài)，它具有開(kāi)關(guān)特性，需要一定的條件進(jìn)行轉(zhuǎn)換

在控制極G上加入正向電壓時(shí)（見(jiàn)圖5）因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ?jiàn)圖2）的基礎(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。