可控硅的陽(yáng)極工作電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系，稱為可控硅的伏安特性。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓璧年?yáng)極與陰極間加上一個(gè)正向影響電壓時(shí)，在可控硅進(jìn)行控制極開(kāi)路(Ig=0)情況下，開(kāi)始執(zhí)行元件設(shè)計(jì)中有一些很小的電流(稱為中國(guó)正向漏電流)流過(guò)，可控硅陽(yáng)極與陰極間表現(xiàn)出具有很大的電阻，處于發(fā)展截止目前狀態(tài)(稱為企業(yè)正向阻斷這種狀態(tài))，簡(jiǎn)稱斷態(tài)。

當(dāng)陽(yáng)極電壓上升到一定值時(shí)，晶閘管突然從阻斷狀態(tài)變?yōu)橥〝酄顟B(tài)，即通斷狀態(tài)。陽(yáng)極這一點(diǎn)的電壓稱為關(guān)態(tài)不可重復(fù)峰值電壓(udsm) ，或稱為正向轉(zhuǎn)換電壓(ubo)。

導(dǎo)通后，大電流流過(guò)元件，其值主要由限流電阻（>使用中的負(fù)載）決定。 當(dāng)陽(yáng)極供電電壓減小或負(fù)載電阻增大時(shí)，陽(yáng)極電流減小，并且當(dāng)陽(yáng)極電流小于維持電流IH時(shí)，晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。 從圖中可以看出，當(dāng)正向電流Ig流過(guò)晶閘管控制電極時(shí)，晶閘管的正向轉(zhuǎn)向電壓降低，Ig越大，轉(zhuǎn)向電壓越小，當(dāng)Ig足夠大時(shí)，晶閘管的正向轉(zhuǎn)向電壓就越小。 一旦施加正陽(yáng)極電壓，晶閘管就導(dǎo)通。 實(shí)際上，當(dāng)在晶閘管元件陽(yáng)極和陰極之間施加6V DC電壓時(shí)，元件被啟用

控制極上的下限電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。

當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間施加反向電壓時(shí)，晶閘管起初處于反向阻斷狀態(tài)，只有很小的反向漏電流流過(guò)。當(dāng)反向電壓增加到一定值時(shí)，反向漏電流急劇增加。此時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向非重復(fù)峰值電壓(URSM)，或反向擊穿電壓(UBR)?？梢钥闯?，可控硅的反向伏安特性與二極管相似。