可控硅的應(yīng)用非常廣泛，對(duì)電氣工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用，日常生活的應(yīng)用，但如果可控硅使用不當(dāng)就會(huì)燒毀，以下是可控硅燒毀的原因？

晶閘管的燒壞是由溫度過(guò)高引起的，溫度由晶閘管的電氣、熱和結(jié)構(gòu)特性決定。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 因此，為了保證晶閘管在開發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量，必須從電特性、熱特性和結(jié)構(gòu)特性三個(gè)方面入手，這三個(gè)方面是緊密聯(lián)系和不可分割的。 因此，在可控硅的開發(fā)和生產(chǎn)中應(yīng)充分考慮電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。 晶閘管燒壞的原因有很多，一般而言，晶閘管燒壞僅在這三個(gè)因素的共同作用下，并且單個(gè)特性劣化很難導(dǎo)致產(chǎn)品柵極管燒壞。 因此，我們可以在生產(chǎn)過(guò)程中充分利用這一特點(diǎn)，即如果其中一個(gè)應(yīng)力不能滿足其他兩個(gè)應(yīng)力的要求，可以采取增加的方式進(jìn)行彌補(bǔ)。

根據(jù)晶閘管的相參數(shù)，常見(jiàn)的事故參數(shù)有電壓、電流、 dv/dt、 di/dt、泄漏、開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間，有時(shí)甚至可能燒壞控制極?？煽毓?scr)的損耗可能是由于各個(gè)參數(shù)的性能下降或電路的問(wèn)題引起的，因此，通過(guò)剖析可控硅的燒損，可以確定哪些參數(shù)導(dǎo)致 scr 的燒損。

一般情況下，陰極表面或芯片邊緣有一個(gè)小黑點(diǎn)，說(shuō)明是電壓引起的。電壓燒壞晶閘管有兩種可能的原因。一種是晶閘管的電壓故障，也就是我們常說(shuō)的電壓故障。電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路問(wèn)題，線路發(fā)生過(guò)電壓，對(duì)可控硅采取的保護(hù)措施失效。

　　電流是否燒壞可控硅通常是作為陰極材料表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬進(jìn)行大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞可控硅的現(xiàn)象較容易出現(xiàn)判斷，一般部是門極或放大門極附近以及燒成一小兩個(gè)黑點(diǎn)。我們可以知道使用可控硅的等效系統(tǒng)電路是由兩只可控硅模塊構(gòu)成，門極所對(duì)應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用，目的是當(dāng)觸發(fā)一個(gè)信號(hào)到來(lái)時(shí)能夠?qū)⑵洳粩喾糯?，然后學(xué)生盡快的將主可控硅導(dǎo)通，然而在企業(yè)短時(shí)工作間內(nèi)公司如果沒(méi)有電流產(chǎn)生過(guò)大，主可控硅還沒(méi)有得到完全導(dǎo)通，大的電流數(shù)據(jù)主要研究通過(guò)學(xué)習(xí)相當(dāng)于門極的可控硅流過(guò)，而此可控硅的承載不同電流的能力是很小的，所以發(fā)展造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。至于dv/dt其本身是不會(huì)直接燒壞可控硅的，只是高的dv/dt會(huì)使可控硅誤觸發(fā)導(dǎo)通，其表面社會(huì)現(xiàn)象跟電流可能燒壞的現(xiàn)象已經(jīng)差不多。

這就是為什么可控硅被耗盡的原因。我希望它能對(duì)你有幫助。