晶閘管在我國曾被稱為晶閘管，是硅整流器的重要器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。 參數的合理與否直接影響設備的性能。 合理選擇晶閘管可以提高設備的可靠性和使用壽命，保證生產，降低設備的維護成本。

可控硅重要的兩個參數是額定電流(A)和額定電壓(V)，使用部門提出的器件參數要求僅為這兩項，而變頻裝置上的快速或中頻可控硅又有一個關機時間(TG)參數，一般情況下也可以。但從提高設備運行性能和使用壽命的角度出發(fā)，也可以根據設備的特點選擇一些可控硅參數。

晶閘管在變流器(如電力機車)中工作時，必須能在工頻下反復承受一定的過電壓而不影響其工作，因此正反向峰值電壓參數Vdrm和VRRM應保證是正常使用電壓峰值的兩倍以上?？紤]到一些可能的浪涌電壓因素，在選擇備選參數時，只能選擇一個較高的檔位參數。

可控硅的額定電壓電流是在一定經濟條件下的最大導通狀態(tài)進行平均通過電流，即：當在40℃的環(huán)境不同溫度和特定的冷卻技術條件下，在單相負載輸出功率半正弦波的電阻可以負載和傳導角不小于L70℃的電路中，當器件發(fā)展處于社會穩(wěn)定的額定結溫時，允許最大通態(tài)平均一個電流。當變換器研究工作時，每個臂的可控硅都有分布不均勻的電流。在大多數企業(yè)情況下，可控硅不能在170℃的導通角下工作，導通角通常需要小于我們這個導通角。以這種教學方式，可控硅的額定電流數據必須稍大，這應該是學生平均水平正常運行電流的1.5或2.0倍。

綜上所述，在選擇SICR的參數時，要根據不同的條件、線路和負載條件，使設備運行得更好、更可靠、時間更長。