晶閘管也被稱為晶閘管。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。目前主要采用雙向晶閘管。它具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、重量輕等優(yōu)點(diǎn)，但也具有過載和抗干擾能力差的缺點(diǎn)，在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，本文就如何避免可控硅的缺點(diǎn)進(jìn)行了說明。

一、　靈敏度

三端雙向可控硅開關(guān)是一個(gè)三端元件，但我們不再把它的兩極稱為陽(yáng)極和陰極，而是T1和T2極，G是控制極。無論是正觸發(fā)脈沖還是負(fù)觸發(fā)脈沖，施加到其控制極的電壓都可以使控制極導(dǎo)通。在圖1所示的四種情況下，三端雙向可控硅都可以被觸發(fā)導(dǎo)通，但觸發(fā)靈敏度各不相同，即保證三端雙向可控硅可以導(dǎo)通的較小的柵極電流IGT是不同的。其中，(a)觸發(fā)靈敏度較高，(b)觸發(fā)靈敏度最低。為了保證觸發(fā)并盡可能限制柵極電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)模式。

二、 可控硅過載的保護(hù)

可控硅優(yōu)點(diǎn)就是很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)影響造成這些元件損壞，因此為基礎(chǔ)保證系統(tǒng)元件可以正常管理工作，需有一定條件(1)外加電壓下允許企業(yè)超過一個(gè)正向發(fā)展轉(zhuǎn)折電壓，否則內(nèi)部控制極將不起作用;(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全技術(shù)角度分析考慮學(xué)生一般按較大不同電流的1.5～2倍來取;(3)為保證質(zhì)量控制極可靠觸發(fā)，加到成本控制極的觸發(fā)電流能力一般取大于其額值，除此以外，還必須積極采取有效保護(hù)政策措施，一般對(duì)過流的保護(hù)主義措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定輸出電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在文化交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在學(xué)習(xí)交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在社會(huì)存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)一些干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程中所產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用研究時(shí)間短，常采用這種電阻和電容吸收其他電路設(shè)計(jì)加以抑制。

三、控制大電感負(fù)荷時(shí)電網(wǎng)的干擾和自干擾

當(dāng)晶閘管控制大的感性負(fù)載時(shí)，存在干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，因?yàn)楫?dāng)晶閘管控制連接到感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流路徑被切斷， 變化率是如此之大，以至于在電感器兩端產(chǎn)生高電壓，該高電壓通過電源的內(nèi)阻施加在開關(guān)觸點(diǎn)兩端，然后感應(yīng)電壓被一次又一次地放電，直到感應(yīng)電壓低于放電所需的電壓，在該過程中產(chǎn)生非常大的脈沖束。 這些脈沖束疊加在電源電壓上并且將干擾傳輸?shù)诫娫淳€或者以輻射的形式傳輸?shù)街車臻g，這種脈沖具有非常高的幅度、非常寬的頻率，因此具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是非常強(qiáng)的噪聲源。

1.為了防止或減少噪聲，移相控制交流穩(wěn)壓的常用方法有電感電容濾波電路、電阻電容阻尼電路、雙向二極管阻尼電路等。