可控硅和IGBT模塊都屬于電氣設(shè)備。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。它們?cè)陔姎庑袠I(yè)的作用有相似之處，但也有不同之處。讓我們來(lái)看看可控硅和IGBT模塊之間的區(qū)別。

可控硅和IGBT模塊進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同

可控硅(可控硅)，又稱(chēng)可控硅，在高壓、大電流的應(yīng)用中，可控硅是主流的電源器件，IGBT模塊發(fā)展迅速，有取代可控硅的趨勢(shì)?？煽毓柙诖笕萘俊⒌皖l功率的電子設(shè)備中仍然占主導(dǎo)地位。有許多硅衍生器件具有優(yōu)異的性能，如快速、雙向、反向反向、門(mén)關(guān)閉和光控制。

IGBT晶閘管結(jié)構(gòu)為絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可觸發(fā)導(dǎo)通，也可關(guān)斷，因此被稱(chēng)為全控制器件，IGBT晶閘管具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬、飽和電壓低（甚至接近GTR飽和壓降）、耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。 它應(yīng)用于小容量變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS及逆變焊機(jī)等領(lǐng)域，是發(fā)展較快的新一代功率器件。 隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，IGBT模塊在許多應(yīng)用中已經(jīng)取代了可控硅。

晶閘管與 igbt 模塊工作原理比較

兩種工作原理的區(qū)別在于晶閘管是由電流控制的，IGBT模塊是由電壓變化控制的。IGBT可以關(guān)斷，晶閘管只有在電流過(guò)零時(shí)才能關(guān)斷，IGBT的工作頻率高于門(mén)極模塊。IGBT是一個(gè)完全控制的電壓驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，可以打開(kāi)和關(guān)閉?？煽毓枵髌餍枰娏髅}沖來(lái)驅(qū)動(dòng)。一旦接通，門(mén)極就關(guān)不了，主電路電流需要關(guān)斷或者很小才能關(guān)斷。

可控硅像開(kāi)關(guān)技術(shù)一樣通斷電流，像閘門(mén)一樣關(guān)停水流，它的核心重要作用主要就是我們一個(gè)字“閘”；所以可控硅有兩個(gè)工作狀態(tài)，一個(gè)是導(dǎo)通狀態(tài)，一個(gè)是截至目前狀態(tài)；可控硅的狀態(tài)以及怎么可以改變，它有自己一個(gè)國(guó)家控制極，又叫觸發(fā)極，給觸發(fā)極加控制系統(tǒng)電壓，就可使可控硅的狀態(tài)反轉(zhuǎn)；不同學(xué)習(xí)材料、不同經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)的可控硅，控制極的控制輸出電壓的性質(zhì)、幅度、寬度、作用方式都不存在一樣。只有可控硅陽(yáng)極和門(mén)極同時(shí)能夠承受能力正向影響電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通，兩者之間缺一不可?？煽毓枰坏?dǎo)通后，門(mén)極將失去自我控制管理作用，門(mén)極電壓對(duì)管子以后的導(dǎo)通與關(guān)斷均不起作用，故門(mén)極控制信號(hào)電壓只要是有一定寬度的正向脈沖輸入電壓即可，這個(gè)過(guò)程中脈沖稱(chēng)為觸發(fā)脈沖。 要使已導(dǎo)通的可控硅關(guān)斷，必須使陽(yáng)極電流降低到某一個(gè)具體數(shù)值分析以下。這可不是通過(guò)不斷增加文化負(fù)載電阻有效降低陽(yáng)極電流，使其更加接近于0。

IGBT模塊是一種非開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)，由BJT（雙極三極管）和MOS（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控制電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET高輸入阻抗和GTR低導(dǎo)電電壓降低的優(yōu)點(diǎn)。