在使用雙向CR時，應掌握以下規(guī)則：

1. 為了傳導晶閘管（或三端雙向可控硅開關），必須有一個柵極電流？ IGT直到負載電流達到？ 伊爾。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。 必須滿足這一條件，并考慮到可能遇到的嘴的低溫。

圖2。若要斷開(開關)晶閘管(或雙向晶閘管) ，負載電流必須小，并保持足夠長的時間返回到截止狀態(tài)。這些條件必須在可能的最高操作溫度下滿足。

3. 設計三端雙向可控硅開關時，盡可能避免使用3+象限（WT2-，+）。

　　4. 為減少對于雜波進行吸收，門極連線工作長度可以降至zui低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若 用硬線，用螺旋以及雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1k倩蚋 8咂蹬月返縟鶯兔偶浯擁繾琛A硪喚餼靄旆?，选用H系列低靈敏度分析雙向控制可控硅。

5.如果dVD/dt或dVCOM/dt可能導致問題，請在MT1和MT2之間添加RC緩沖電路。如果高dICOM/dt可能導致問題，增加幾個mH電感和負載系列。另一種解決方案，使用高通信雙向硅。

6. 如果在嚴重和異常的功率瞬態(tài)期間可能超過晶閘管的VDRM，則應采取以下措施之一：負載上串聯電感為十分之幾的不飽和電感器，以限制DIT/dt；在電源兩端使用MOV，并在電源側增加濾波電路。

殺。選擇合適的柵極觸發(fā)電路，避免三象限工況，可以大大提高雙向晶閘管的容量。

8.如果可能超過雙向可控硅的dIT/dt，負載嘴可以連接一些溫度系數為負的鐵芯電感或熱敏電阻。另一種解決方案是在電阻性負載上使用零電壓傳導。

　　9. 器件進行固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到不同應力。固定，然后通過焊接過程中引線。不要把 鉚釘芯軸放在一個器件數據接口片一側。

10對于長期可靠的工作，Rthj-a足夠低，保持Tj不高于Tjmax，其值對應于可能的嘴環(huán)境溫度。