硅通器，硅鐵整流元件的簡稱，是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，也稱為硅鐵。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。由于具有尺寸小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強(qiáng)等特點，是最常用的半導(dǎo)體器件之一，其次由可控硅廠家小邊介紹了雙向可控硅的使用十大規(guī)則。

1.為了導(dǎo)通晶閘管(或雙向晶閘管) ，必須有門極電流 igt，直到負(fù)載電流達(dá)到鹽值，這個條件必須滿足，并根據(jù)可能的低溫來考慮。

2.要斷開（開關(guān)）開關(guān)管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須為

3、設(shè)計進(jìn)行雙向控制可控硅觸發(fā)系統(tǒng)電路時，只要有可能，就要我們避開3 象限（WT2-，+）。

4.為了減少雜波吸收，柵極連接長度減少至低，回線直接連接MT1（或陰極），如果硬絲、螺絲或屏蔽線、柵和MT1電阻1kΩ或以下，高頻旁通和柵電容交叉連接電阻；另一種，選擇H系列低靈敏度雙向。

如果DVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，則在MT1和MT2之間添加RC緩沖電路，如果高DICOM/dt可能引起問題，則與負(fù)載串聯(lián)地添加幾個mH電感；使用另一種解決方案Hi-Com triac。

圖6。如果在嚴(yán)重和異常的電源瞬態(tài)下，雙向可控硅的 vdrm 可能超過，應(yīng)采取以下措施之一: 在負(fù)載上串聯(lián)幾個 μh 的不飽和電感來限制 dit/dt; 在電源側(cè)增加一個濾波電路。

7.選擇一個好的門觸發(fā)電路并避免三象限工作條件可以大大提高雙向晶閘管的dITu002Fdt容差。

8、若雙向控制可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，負(fù)載上盡量進(jìn)行串聯(lián)作為一個幾μH 的無鐵芯電感或負(fù)溫度效應(yīng)系數(shù)的熱敏材料電阻；另一種方式解決管理辦法：對電阻性負(fù)載可以采用零電壓導(dǎo)通。

9.當(dāng)裝置固定在散熱器上時，避免應(yīng)力和固定，然后焊接引線。不要將鉚釘芯軸放在設(shè)備接口件的一側(cè)。

10。 對于長期可靠的運(yùn)行，應(yīng)確保Rth j-a足夠低以保持Tj不高于Tjmax，該值對應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。